Аннотация
УДК 621.315.592
В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n‑Ge и n‑Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = μ⊥/μ|| = 15,6 – в n‑Ge и K = 5,89 – в n‑Si.
Ключевые слова: кремний, германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности.