Влияние термоотжига и условий охлаждения кристаллов <i>n</i>‑Si<P> на температурные зависимости подвижности носителей заряда в области примесного рассеяния

Аннотация

УДК 621.315.592

Исследованы изменения температурных зависимостей подвижности носителей заряда в монокристаллах n‑Si<P>, выращенных методом Чохральского, которые отжигались и охлаждались при различных условиях. Кристаллы с удельным сопротивлением r_300K = 0,3 и 4,4 Oм×cм отжигались при 1200 и 500^оС в течение двух часов. Отжиг сопровождался быстрым (~ 1000^oC/мин) или медленным (~ 1^oC/мин) охлаждением. Показано, что подвижность свободных носителей заряда в случае примесного рассеяния определяется не только условиями термоотжига, но и скоростью охлаждения.

Ключевые слова: кремний, примесное рассеяние, подвижность носителей заряда, термоотжиг, условия охлаждения.