Просмотр «Влияние термоотжига и условий охлаждения кристаллов n ‑Si на температурные зависимости подвижности носителей заряда в области примесного рассеяния» | ЭЛЕКТРОННАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ

← Влияние термоотжига и условий охлаждения кристаллов <i>n</i>‑Si<P> на температурные зависимости подвижности носителей заряда в области примесного рассеяния