Аннотация
УДК 621.315.592
DOI https://doi.org/10.52577/eom.2026.62.1.62
Рассматривается процесс получения образцов кремния, диффузионно-легированного примесными атомами марганца, с различными кристаллографическими направлениями. Цель исследования заключается в изучении влияния диффузионного легирования примесными атомами марганца на физико-химические и тензосвойства кремния, а также получении образцов кремния с кристаллографическими направлениями {111}, {110} и {100}. Определены основные технологические режимы диффузии атомов марганца в кремнии при различных температурах и кристаллографических направлениях, которые влияют на распределение примесных атомов марганца в кристаллической решетке. Экспериментальные данные подтверждают, что направление кристаллической решетки оказывает значительное влияние на эффективность легирования и характеристики получаемых материалов. Результаты работы могут быть полезны для разработки новых полупроводниковых материалов, в которых электрофизические параметры сильно зависят от кристаллографического направления.
Ключевые слова: кремний, марганец, диффузия, кристаллографическое направление, примесь, электронный микроскоп.