Аннотация
УДК 681.785.552
DOI https://doi.org/10.5281/zenodo.1051276
Исследован процесс поляризационной голографической записи дифракционных решеток и их последующего стирания в многослойной наноструктуре As2S3-Se. Изучено влияние предварительной засветки актиничным лазерным излучением до полного насыщения фотостимулированных изменений оптических свойств на формирование дифракционных решеток в исследуемой структуре. Показано, что засветка многослойной наноструктуры (МНС) As2S3-Se актиничным светом приводит к фотопросветлению, а величина максимально достижимой дифракционной эффективности (ДЭ), равной 35%, при записи решеток не изменяется, но необходимая экспозиция до достижения максимума увеличивается. Также показано, что экспозиция одним лучом приводит к полному стиранию записанной до максимума дифракционной решетки. Проведенные семь циклов записи-стирания показали, что кинетика роста ДЭ и ее максимальная величина не изменяются, что указывает на то, что на МНС As2S3-Se осуществима реверсивная голографическая запись при ортогональной циркулярной поляризации. Исследование полученных решеток на атомном силовом микроскопе (АСМ) свидетельствует, что основным фактором, определяющим значение ДЭ записанных решеток, является модуляция рельефа, глубина которого составляет более 200 нм.
Ключевые слова: халькогенидные многослойные наноструктуры, реверсивная голографическая запись, прямое формирование поверхностного рельефа, дифракционная эффективность.