ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НАНОПОРИСТОГО p-InP
Том 44 № 1 (2008), Содержание
Том 44 № 1 (2008)

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НАНОПОРИСТОГО p-InP

А. И. Дикусар
Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md
Л. И. Брук
Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md, Молдавский государственный университет, ул.А. Матеевича, 60, Кишинев, MD−2009, Республика Молдова
Э. В. Монайко
Технический университет Молдовы, ул. Штефана чел Маре, 168, Кишинев, MD−2004, Республика Молдова
Д. А. Шербан
Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md
А. В. Симашкевич
Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md
И. М. Тигиняну
Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md, Технический университет Молдовы, ул. Штефана чел Маре, 168, Кишинев, MD−2004, Республика Молдова

Аннотация

The possibility for nanostructuring of surfaces of indium phosphide with hole conductivity is confirmed. The technique of manufacturing and research of SnO2/InP heterostructures with nanoporous morphology at interface is developed. It is shown, that the investigated structure can form the basis for working out of photovoltaic devices with enhanced active surface.

article_1