ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НАНОПОРИСТОГО p-InP

А. И. Дикусар; Л. И. Брук; Э. В. Монайко; Д. А. Шербан; А. В. Симашкевич; И. М. Тигиняну

Vol. 44 No. 1 (2008), Content

Vol. 44 No. 1 (2008)

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НАНОПОРИСТОГО p-InP

А. И. Дикусар⁺⁻
Л. И. Брук⁺⁻
Э. В. Монайко⁺⁻
Д. А. Шербан⁺⁻
А. В. Симашкевич⁺⁻
И. М. Тигиняну⁺⁻

А. И. Дикусар

Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md

Л. И. Брук

Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md, Молдавский государственный университет, ул.А. Матеевича, 60, Кишинев, MD−2009, Республика Молдова

Э. В. Монайко

Технический университет Молдовы, ул. Штефана чел Маре, 168, Кишинев, MD−2004, Республика Молдова

Д. А. Шербан

Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md

А. В. Симашкевич

Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md

И. М. Тигиняну

Институт прикладной физики АН Молдовы, ул. Академией, 5, Кишинев, MD−2028, Республика Молдова, dikusar@phys.asm.md, Технический университет Молдовы, ул. Штефана чел Маре, 168, Кишинев, MD−2004, Республика Молдова

Abstract

The possibility for nanostructuring of surfaces of indium phosphide with hole conductivity is confirmed. The technique of manufacturing and research of SnO2/InP heterostructures with nanoporous morphology at interface is developed. It is shown, that the investigated structure can form the basis for working out of photovoltaic devices with enhanced active surface.

article_1 (Русский)