Аннотация
УДК 621.315.592
DOI https://doi.org/10.52577/eom.2025.61.5.65
Исследовано влияние облучения γ-квантами на механизм переноса тока в структуре Al/p-CdTe/Mo. Рентгеноструктурный фазовый анализ позволил установить реальное строение структуры: Al/n-Al2O3/p-CdTe/n-MoO3/Mo, которая в окончательном виде представляется как n+-p-n, где база (p-CdTe) с двух сторон контактирует с широкозонными тонкими окисными слоями n-Al2O3 и n-MoO3 и в ней n+-p- переход является идеальным, а p-n- – неидеальным. В обратном (когда на Al подается «плюс», а на Мо – «минус») направлении тока неосновные неравновесные носители заряда аккумулируются возле идеального контакта, что приводит к образованию протяженного сублинейного участка на обратной вольт-амперной характеристике структуры до и после облучения радиацией, которая объясняется в рамках теории «эффекта инжекционного обеднения» инжекцией электронов из тыльного перехода n-MoO3/p-CdTe и возникновением в базе структуры диффузионных и дрейфовых токов, направленных навстречу друг другу. Сохранение формы и протяженности сублинейного участка происходит из-за высокого значения фронтального – идеального потенциального барьера n+-p, при этом в интервале различных значений доз облучения Ф, рад: (106, 107, 108 и 109) профиль распределения неравновесных носителей заряда в базе структуры практически не изменяется.
Ключевые слова: CdTe, γ-облучение, сублинейный участок, механизм переноса тока, инжекция, диффузионные и дрейфовые токи.