Аннотация
УДК 621.315.592
DOI https://doi.org/10.52577/eom.2024.60.4.60
Подобраны технологические условия и методом осаждения в квазизамкнутом объеме получены тонкие слои соединения ZnIn2S4 на неориентирующих и ориентирующих подложках из различных материалов: стекло, плавленый кварц, ситалл, прозрачные проводящие слои SnO2 на стекле, пластины из меди и стали, слюда. На стеклянных подложках получены тонкие слои одно- и трехпакетных политипных модификаций соединения ZnIn2S4 (I, III) с плоскостью кристаллитов (0001) параллельной подложке. Изучена микроструктура пленок, полученных при разных режимах осаждения. Исследованы спектры оптического поглощения и возбуждения фотолюминесценции. Показано, что параметры слоев и монокристаллов близки.
Ключевые слова: ZnIn2S4, тройные полупроводники, тонкие пленки, метод вакуумного осаждения в квазизамкнутом объеме, коэффициент поглощения, фотолюминесценция.
The technological regimes of preparation were determined, and ZnIn2S4 thin films were prepared on various orienting and nonorienting substrates – glass, fused silica, vitroceramics, glass covered with SnO2 transparent conductive layers, copper and steel plates, and mica – using the close-spaced vacuum sublimation method. The technological regimes of preparation of thin films of one- and three-packet polytype modifications of ZnIn2S4 (I, III) on glass substrates were found out. The films of the crystallite orientation with (0001) plane parallel to the substrate were obtained. The microstructure of the films was studied for various deposition regimes. The spectra of optical absorption and photoluminescence excitation were analyzed. It was shown that the parameters of the obtained thin films are close to those of ZnIn2S4 single crystals.
Keywords: ZnIn2S4, ternary semiconductors, thin films, close-spaced vacuum sublimation, absorption coefficient, photoluminescence.