Аннотация
УДК 537.855.621.315.592.3
https://doi.org/10.52577/eom.2023.59.2.61
Приводятся результаты исследований частотных и температурных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь, действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости в монокристаллах MnGaInSe4 в переменном электрическом поле. Установлено, что основным видом диэлектрических потерь в монокристаллах MnGaInSe4 в области частот 8×´103 – 3´×105 Гц являются потери на электропроводность, а проводимость характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Определены энергии активации носителей тока монокристаллов. Установлено, что действительная и мнимая части диэлектрической проницаемости претерпевали значительную дисперсию, носящую релаксационный характер.
Ключевые слова: MnGaInSе4, переменный ток, частота диэлектрических потерь, диэлектрическая проницаемость, зонно-прыжковый механизм, энергия активации.