Аннотация
УДК 621.315.592
https://doi.org/10.52577/eom.2023.59.2.16
Возможность формирования структур типа соединений между халькогенидами и металлами переходной группы в кристаллической решетке кремния относится к актуальным задачам электроники. Показано, что в определенных технологических условиях формируется достаточная концентрация элементарных ячеек, которая приводит к изменению зонной структуры самого кремния, то есть получаются микро- и наноразмерные включения в кремнии с прямозонной структурой. Представлены возможности создания на основе таких материалов принципиально нового класса фотоэлементов с расширенной областью спектральной чувствительности, а также светоизлучающих приборов, светодиодов и лазеров на их основе.
Ключевые слова: кремний, фотоприемники, взаимодействия, нанокластеры, варизонная структура, элементарная ячейка, растворимость, селен, цинк.