Аннотация
УДК 621.373.826 (075.8)
DOI https://doi.org/10.52577/eom.2022.58.6.73
Исследован процесс лазерного формирования микроотверстий в полупроводниковых подложках на установке лазерной обработки ЭМ-4452-1 с частотой следования импульсов пикосекундного лазера от 10 до 300 кГц при энергии излучения до 10 мкДж. Сочетание высокоскоростных перемещений лазерного луча системой гальваносканера и точного позиционирования обрабатываемого материала повышает эффективность лазерной микрообработки и расширяет функциональные возможности оборудования.
Ключевые слова: лазерное излучение, отверстия, полупроводниковые подложки, микрообработка.