Аннотация
УДК 537.525
DOI https://doi.org/10.52577/eom.2022.58.2.61
Для формирования топологии на поверхности полупроводников часто применяется галоген- содержащая плазма, в частности фреоны. В статье проведено сравнительное исследование плазмохимического взаимодействия фреона R-23 с поверхностью полупроводников методом атомно-силовой микроскопии; кремния и арсенида галлия в плане чистоты и равно- мерности процесса. Фреон R-23 широко применяется в технологии промышленного травления Si, Ge и ряда других материалов, обеспечивая приемлемые скорости взаимодействия, сохраняя равномерную поверхность пригодную для дальнейших операций технологического цикла.
Ключевые слова: плазма, травление, поверхность, топология, фреоны, полупроводники.