Аннотация
УДК 541.13:621.315.592.3
DOI https://doi.org/10.5281/zenodo.2629542
Показано, что в гальваностатическом режиме электролитического анодирования Si, SiC и Si3N4 образование их анодных оксидов протекает с активационным контролем процесса. Выдвинуто предположение о том, что лимитирующей стадией процесса оксидирования данных материалов является анодная реакция образования промежуточного монооксида SiO.
Ключевые слова: анодное окисление, анодные оксидные пленки, анодирование кремния, анодирование карбида кремния, анодирование нитрида кремния.