Аннотация
УДК 621.315.592
DOI https://doi.org/10.5281/zenodo.1053306
Исследовано влияние различных примесей на кинетику электронных процессов в монокристаллах n‑Ge(Sb). Установлено существенное снижение подвижности носителей заряда в области преимущественно примесного рассеяния (при 77ºК) в кристаллах n‑Ge(Sb+Si), а также в кристаллах германия с примесью редкоземельных элементов, и дано объяснение полученному эффекту.
Ключевые слова: германий, примеси, эффект Холла, коэффициент Холла, подвижность носителей заряда.