Влияние полупроводникового наполнителя и алюминиевой наночастицы на поверхностные структуры и диэлектрические свойства композиционных материалов <i>ПВДФ+TlInS₂&lt;Al&gt;</i>

Аннотация

УДК 538.915

Излагаются результаты исследования температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и диэлектрической потери композиций ПВДФ+TlInS₂ и ПВДФ+TlInS₂+Al в частотном 10–10⁵ Гц и температурном 20–150°C интервалах, а также влияния алюминиевой наночастицы размерами 50 нм на диэлектрические свойства композиционных материалов ПВДФ+xоб.%TlInS₂. Выявлено, что увеличение процентного содержания наполнителя TlInS₂ в матрице приводит к росту диэлектрической проницаемости и диэлектрической потери этих материалов. Увеличение объема композитов ПВДФ+xоб.%TlInS₂+yоб.%Al наблюдается и с ростом содержания алюминиевой наночастицы в составе композита, приводящим к изменению объемной поляризации Максвелла-Вагнера. Под влиянием алюминиевой наночастицы характер частотной дисперсии диэлектрической потери исследованных композитов существенно изменяется.

Ключевые слова: нанокомпозиты ПВДФ+xоб.%TlInS₂ и ПВДФ+xоб.%TlInS₂+yоб.%Al, алюминиевые наночастицы, диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери.