Аннотация
УДК 541.64:539.26:537.529
Изложены результаты исследования температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в температурном интервале 300–450К и в частотном диапазоне 0–1014 Гц композиционных материалов – полиэтилена низкой плотности с наполнителем сульфида кадмия (ПЭНП/CdS) и полиэтилена низкой плотности с наполнителем селенида индия (III) (ПЭНП/In2Se3). Выявлено, что вариацией количества наполнителей и влиянием внешних факторов можно получить новые композиционные материалы с требуемыми диэлектрическими характеристиками.
Ключевые слова: сульфид кадмия CdS, селенид индия In2Se3, полиэтилен низкой плотности, диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, диэлектрические характеристики.