Аннотация
УДК 537.855. 621.315.592.3
DOI https://doi.org/10.52577/eom.2024.60.3.56
Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa0,4In1,6Se4 на переменном токе. В кристалле FeGa0,4In1,6Se4 нормальная дисперсия возникает в диапазоне частот 2·102 ÷ 104 Гц, а распределение дефектов по времени жизни подчиняется закону n(τ) ~ τ−1,75. С повышением температуры причиной увеличения значения действительной части диэлектрической проницаемости является возрастание концентрации дефектов. Наблюдаемое в эксперименте монотонное уменьшение мнимой части диэлектрической проницаемости в зависимости от частоты свидетельствует о наличии релаксационной дисперсии в кристалле FeGa0,4In1,6Se4. Установлено, что в температурном интервале 294,5 ÷ 3343 K при частотах 2·102 ÷ 106 Гц для электропроводности выполняется закономерность σ ~ fS (0,1 ≤ S ≤ 1,0). Показано, что проводимость в этих кристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Из зависимостей определены энергии активации.
Ключевые слова: FeGa0,4In1,6Se4, переменный ток, частота, диэлектрическая проницаемость, электропроводность, нормальная дисперсия, зонно-прыжковый механизм, энергия активации.