Аннотация
Целью данного исследования является изучение структурных изменений в многослойной нано-структуре As2S3-Se и выяснение вклада слоев As2S3 и Se в наноструктурирование с помощью измерения спектров Рамана. Формирование наноструктуры As2S3-Se проводилось последовательным нанесением нанослоев As2S3 и Se. Зависимость дифракционной эффективности от дозы освещения CW DPSS лазером наблюдалась по пропусканию интенсивности 1го дифракционного максимума и измерялась в режиме реального времени и нормального падения луча лазерного диода (λ = 650 нм). Из сравнения полученных зависимостей для серии образцов была выбрана многослойная наноструктура с оптимальными характеристиками записи, то есть максимальная величина и скорость нарастания дифракционной эффективности. Данные результаты имеют практический интерес, так как позволяют существенно увеличить дифракционную эффективность рельефных решеток, сформированных прямой голографической записью.
Ключевые слова: халькогенидные стекла, нано-структуры, спектроскопия Рамана, поверхностная решетка.