Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца
Том 49 № 4 (2013), Содержание
Том 49 № 4 (2013)

Инфракрасное гашение фотопроводимости в кремнии с многозарядными кластерами марганца

М. К. Бахадырханов
Ташкентский государственный технический университет, ул. Университетская, 2, г. Ташкент, 100095, Республика Узбекистан
С. Б. Исамов
Ташкентский государственный технический университет, ул. Университетская, 2, г. Ташкент, 100095, Республика Узбекистан
Н. Ф. Зикриллаев
Ташкентский государственный технический университет, ул. Университетская, 2, г. Ташкент, 100095, Республика Узбекистан
Э. У. Арзикулов
Самаркандский государственный университет, бул. Университетский, 15, г. Самарканд, 140104, Республика Узбекистан, e-mail: sobir-i@mail.ru

Аннотация

Обнаружен эффект самогашения фотопроводимости в кремнии с многократно заряженными нанокластерами атомов марганца в области h = 0,4÷0,5 эВ. Особенность наблюдаемого явле- ния – это гашение ФП при полном отсутствии фонового или собственного света, только при наличии ИК-излучения. Природа такого типа гашения ФП объясняется туннелированием элек- тронов с уровня кластера и их рекомбинацией с дырками.

Ключевые слова: кремний, многозарядный нанокластер, самогашениe фотопроводимости, марганец, туннeлирование, ИК-излучениe.

УДК 621.315.592

article_8