Rezumat
В работе был применен метод квазистатического индентирования по Виккерсу для исследования влияния времени выдержки под нагрузкой на изменение электрического сопротивления и фазовых превращений в зоне индентирования на Si (100). Для всех использованных режимов нагружения с различным временем выдержки под нагрузкой (2 с, 10 с, 1 час и 10 часов) в сочетании с постоянной скоростью нагружения-разгрузки (250 мН/с) было найдено, что электрическое сопротивление в области остаточных отпечатков имеет более низкие значения, чем до индентирования. Было показано, что это связано с образованием полуметаллических фаз Si-III/Si-XII и аморфного кремния более высокого давления в результате ползучести материала при длительно действующем давлении. Чем продолжительнее время выдержки под нагрузкой, тем большее понижение электрического сопротивления наблюдается в области отпечатка, за исключением времени выдержки более 1 часа, что объясняется замедляющейся скоростью ползучести кремния для этого временного интервала, ведущей к остановке дальнейшего распространения зон аморфного и Si-III/Si-XII кремния, обладающих меньшим электрическим сопротивлением.