Abstract
Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок n- и p-типов селенида марганца свинца (Pb1-xMnxSe (x = 0,01)) на подложках фторида ба- рия ориентации (111) в исходном состоянии и после воздействия гамма-облучения. Показано, что модификация рельефа поверхности происходит в области поглощенной дозы 5≤Dγ≤35 кГр. На основе особенностей поверхностных структур установлена инверсия p⇔n переходов при значениях 10≤Dγ≤25 кГр, что подтверждается электрофизическими измерениями. Выявлено, что выше 35 кГр нарушается радиационная стойкость этих пленок.
УДК 621⋅315; 548⋅552; 546⋅28