Abstract
Исследован “рop-out” эффект в структурах ITO/Si и SnO2/Si, а также в кремнии, использован- ном в качестве подложки. Для всех исследованных материалов (структуры ITO/Si и SnO2/Si, подложка Si) отмечена следующая закономерность: возникновение “pop-out” эффекта сущест- венно зависит от величины максимальной приложенной нагрузки (Pmax) и более слабо – от скорости разгрузки. Причиной появления “pop-out” эффекта следует считать накопление внут- ренней энергии в объеме под отпечатком. При этом создаются характерные для каждого Pmax дефектные структуры в области гидростатического сжатия под отпечатком. Возникшие де- фектные структуры определяют характер релаксационного процесса при разгрузке, создавая благоприятные условия для появления “pop-out” эффекта. Показано, что существует опреде- ленный интервал нагрузок (40–300) мН для подложки Si и (80–400) мН для структур ITO/Si и SnO2/Si, в пределах которого “pop-out” эффект проявляется с большей вероятностью.
УДК 538.9:539.2/.6:548.1