Перенос заряда и диэлектрические потери в кристалле MnGa₂S₄

Аннотация

УДК 537.855. 621.315.592.3

DOI  https://doi.org/10.52577/eom.2026.62.2.49

Исследованы процессы переноса заряда и диэлектрические потери в кристалле MnGa₂S₄ в температурном диапазоне 294–374 K и частотном интервале 25–10⁵ Гц. Показано, что действительная часть диэлектрической проницаемости (ε′) возрастает с температурой и уменьшается с увеличением частоты. Тангенс угла диэлектрических потерь (tgδ) экспоненциально растет с температурой и снижается на высоких частотах, что указывает на вклад термически активированного переноса и межфазной поляризации. Из температурной зависимости мнимой части диэлектрической проницаемости (ε′′) определены энергии активации, уменьшающиеся от 0,36 до 0,16 эВ с ростом частоты, что подтверждает реализацию смешанного зонно-прыжкового механизма проводимости. Частотная зависимость электропроводности удовлетворительно описывается законом σ(ω) = AωS, а снижение параметра s с ростом температуры согласуется с моделью коррелированных прыжков (CBH). Установлено, что при температуре 324 К максимальная высота потенциального барьера составляет Wₘ = 0,67 эВ, характерный радиус прыжка – Rω = 3,86×10^-10 м, а плотность пар локализованных состояний равна N = 4,1×10²⁷ м^-3.

Ключевые слова: MnGa₂S₄, диэлектрическая проницаемость, проводимость, модель CBH, зонно-прыжковый механизм, энергия активации, радиус прыжка.