Аннотация
УДК 539.216.2:539.234,544.032.4
DOI https://doi.org/10.52577/eom.2024.60.6.25
Усовершенствованным CVD-методом в квазизамкнутом объеме при нормальном атмосферном давлении получены пленки ITO на поликристаллических кремниевых подложках р-типа проводимости путем термического разложения паров спиртовых растворов хлористого индия и хлористого олова. С целью выяснения зависимоcти свойств пленок ITO от температуры подложки и соотношения X = SnO2/In2O3 синтез слоев производился в интервале температур 170–500 ºС при различных соотношениях X. Технологические режимы синтеза задавались путем регулирования температуры подложки и испарителей, на которые подаются спиртовые растворы хлоридов индия и олова, а также изменением соотношения компонентов и скорости подачи раствора. При таких условиях синтеза скорость роста пленок составляла ~0,5–1,0 мкм/час, что намного выше, чем в случае спрей-пиролиза в аналогичных условиях. Толщины пленок ITO определялись как с помощью интерференционного микроскопа МИИ-4, так и по спектру пропускания; толщины пленок составляют ~3 мкм. Исследована зависимость удельного сопротивления пленок ITO от температуры подложки, и показано, что пленки, полученные при температурах подложки 240–260 °C, обладают относительно низким удельным сопротивлением, приемлемым для применения в солнечных элементах. Проведен анализ спектра рентгенограммы пленок ITO путем идентификации с картой 00-006-0416 (In2O3 cubic) из базы (JCPDS). Рассчитано среднее значение постоянной решетки, которое составляло а = 10,1273 Å. Это немного больше параметра решетки чистого In2O3 (10,1195 Å), что связано с присутствием Sn, влияющего на поведение ионов кислорода.
Ключевые слова: пленки ITO, метод CVD, удельное сопротивление, кристаллическая структура, фазовый состав, дифрактограмма, параметр решетки.