Электрические свойства FeGa_0,4In_1,6Se₄ на переменном токе

Аннотация

УДК 537.855. 621.315.592.3

DOI  https://doi.org/10.52577/eom.2024.60.3.56

Исследованы температурные и частотные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов FeGa_0,4In_1,6Se₄ на переменном токе. В кристалле FeGa_0,4In_1,6Se₄ нормальная дисперсия возникает в диапазоне частот 2·10² ÷ 10⁴ Гц, а распределение дефектов по времени жизни подчиняется закону n(τ) ~ τ^−1,75. С повышением температуры причиной увеличения значения действительной части диэлектрической проницаемости является возрастание концентрации дефектов. Наблюдаемое в эксперименте монотонное уменьшение мнимой части диэлектрической проницаемости в зависимости от частоты свидетельствует о наличии релаксационной дисперсии в кристалле FeGa_0,4In_1,6Se₄. Установлено, что в температурном интервале 294,5 ÷ 3343 K при частотах 2·10² ÷ 10⁶ Гц для электропроводности выполняется закономерность σ ~ f^S (0,1 ≤ S ≤ 1,0). Показано, что проводимость в этих кристаллах характеризуется зонно-прыжковым механизмом. Из зависимостей  определены энергии активации.

Ключевые слова: FeGa_0,4In_1,6Se₄, переменный ток, частота, диэлектрическая проницаемость, электропроводность, нормальная дисперсия, зонно-прыжковый механизм, энергия активации.