Влияние примесных комплексов на электрофизические свойства германия

Аннотация

УДК 621.315.592

 

DOI  https://doi.org/10.52577/eom.2024.60.3.34

 

Изучены образцы германия п-типа с примесью кислорода и без. В качестве метода исследования для выявления взаимодействия кислорода в кристаллах n-Ge с примесями As, Sb, и Bi был избран весьма чувствительный к наличию комплексов в кристалле эффект поперечного магнетосопротивления. Показано, что в образцах германия, легированных сурьмой и висмутом, низкотемпературный отжиг приводит к образованию электрически активных примесных комплексов, влияющих как на величину, так и на вид зависимости поперечного магнетосопротивления Δρ0 от напряженности магнитного поля Н. Выявлена слабая чувствительность обогащенных кислородом кристаллов германия с примесью мышьяка (в отличие от сопутствующих примесей сурьмы и висмута) к низкотемпературному термическому отжигу. Показано, что использование в низкоомных кристаллах n‑Ge (при практически равной концентрации носителей заряда) примеси с большим значением тетраэдрического радиуса сопровождается не только снижением тензосопротивления ρx0 в области насыщения, но также и снижением темпа увеличения ρx0 с повышением давления, что находит свое проявление в уменьшении наклона кривых ρx0 = f(X).

 

Ключевые слова: германий, низкотемпературный отжиг, примесные комплексы, легирующие примеси, тетраэдрические радиусы.

PDF