Аннотация
УДК 621.315.592
https://doi.org/10.52577/eom.2023.59.5.56
Исследования автоколебательных процессов в полупроводниках и полупроводниковых структурах дают возможности формирования физического механизма этих уникальных явлений и создания твердотельных генераторов и датчиков физических величин с частотно-амплитудным выходом. Установлено, что условия возбуждения и параметры автоколебаний тока более подробно исследовались лишь только в кремнии, легированном атомами марганца и цинка, а также в полупроводниковых соединениях CdSe, CdS, InGa и в некоторых структурах, в других же материалах не очень точно были определены граничные области существования этих неустойчивостей тока в зависимости от внешних факторов. Это привело к отсутствию воспроизводимых результатов и несоответствию корреляции между электрофизическими параметрами материала и параметрами автоколебаний тока (амплитуда, частота). В связи с этим приводятся результаты комплексных исследований автоколебаний тока в кремнии, легированном примесными атомами марганца, цинка, серы и селена. Предложен физический механизм автоколебаний тока, который хорошо согласуется с известными полученными экспериментальными результатами.
Ключевые слова: автоколебания, диффузия, кремний, неустойчивость, амплитуда, частота, примесь, монокристалл.