Электропроводность и диэлектрическая проницаемость γ-облученных нанокомпозитов на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена с наполнителем α-SiO₂

Аннотация

УДК 541.64:539.26:537.529

DOI  https://doi.org/10.5281/zenodo.1053487

Из гомогенной смеси порошков сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ) и диоксида кремния (α-SiO₂) методом горячего прессования получены композиты СВМПЭ/SiO₂. Изучены температурная зависимость (20–170°С) их удельной электропроводности σ_dс до и после γ-облучения (D = 200 кГр), влияние поглощенной дозы на значение σ_dс (дозовая зависимость), а также поведение функции lgσ_dc= f(T) в условиях нагрева-охлаждения и частотные зависимости (25–10⁶ Гц) вещественной (ε^/) и мнимой (σ^//) частей комплексной диэлектрической проницаемости. Показано, что зависимость lgσ_dc=f(T) в обоих случаях имеет сложный характер: наблюдаются «изломы», связанные с фазовыми переходами. С увеличением концентрации α-SiO₂ в матрице возрастают значения ε^/ и ε^// (tgδ), а зависимости этих величин от частоты отвечают экспоненциальному закону.

Ключевые слова: сверхвысокомолекулярный полиэтилен (СВМПЭ), композит СВМПЭ+α-SiO₂, диэлектрические потери, диэлектрическая проницаемость, электропроводность, частота, γ-облучение.