Зависимость резистивной переключающей структуры Ag/SiN/p⁺-Si от концентрации азота и температуры

Аннотация

УДК 621.311   Поведение резистивного переключающего устройства на основе Ag/SiN/р⁺-Si исследовали в условиях регулирования концентрации азота и толщины слоя. Устройство с концентрацией азота 50% и толщиной 10 нм имеет типичное биполярное поведение резистивного переключения с формированием низкого напряжения (~ 4 В), высокого отношение вкл/выкл (~ 10²), отличная выносливость (> 10²) и длительное время удерживания (> 10⁵ с). В соответствии с анализами ВАХ, перенос электричества, как в состоянии высокого сопротивления, так и в состоянии низкого сопротивления обеспечивается при преобладании горячей эмиссии электронов, вследствие электронов захвата и их высвобождении на неподвижимых, связанных с азотом ловушек. Температурная зависимость поведения при резистивном переключении не только иллюстрирует существование и важность ловушек, но и обнаруживает новое явление перехода при использовании резистивного метода коммутации. Конечно, необходимы дополнительные усилия для более глубокого понимания переноса носителей заряда в тонких пленках SiN.

Ключевые слова: нитрид кремния, резистивная память с произвольным доступом, температурная зависимость резистивного поведения переключателей.