ПОВЫШЕНИЕ СТАБИЛЬНОСТИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР ПРИ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКЕ
Том 37 № 1 (2001), Содержание
Том 37 № 1 (2001)

ПОВЫШЕНИЕ СТАБИЛЬНОСТИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР ПРИ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКЕ

А.П. Достанко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220027, Республика Беларусь
В.В. Баранов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220027, Республика Беларусь
Л.П. Ануфриев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220027, Республика Беларусь
А.А. Костюкевич
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220027, Республика Беларусь
В.А. Зеленков
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, ул. П. Бровки, 6, г. Минск, 220027, Республика Беларусь

Аннотация

Some parameters, including bombardment by noble gas ions in conjunction with thermal treatment, that influent on solid-state structures stability have been discussed. The ion-stimulated diffusion of silicon was occurred during the ion bombardment and a stable interface was formed. The required electrical- physical properties and stability of Si/Мо Schottky diodes might be achieved by combining ion bombard- ment and isothermal annealing at temperatures up to  450оС or infrared treatment.

article_8