Аннотация
Исследованы изменения температурных зависимостей подвижности носителей заряда в моно- кристаллах n-Si<P>, выращенных методом Чохральского, которые отжигались и охлаждались при различных условиях. Кристаллы с удельным сопротивлением 300K = 0,3 и 4,4 Oмcм отжи- гались при 1200 и 500оС в течение двух часов. Отжиг сопровождался быстрым ( 1000oC/мин) или медленным ( 1oC/мин) охлаждением. Показано, что подвижность свободных носителей заряда в случае примесного рассеяния определяется не только условиями термоотжига, но и скоростью охлаждения.
Ключевые слова: кремний, примесное рассеяние, подвижность носителей заряда, термоот- жиг, условия охлаждения.
УДК 621.315.592