Аннотация
Представлены результаты исследования дисперсионных зависимостей диэлектрических харак- теристик композитных структур на основе полиэтилена высокой плотности с включениями сег- нетоэлектрического полупроводника TlInS2. Они получены из гомогенной смеси порошков компонентов методом горячего прессования в широком диапазоне концентрации наполнителя, температур и частот измерительного электрического поля. Показано, что температурно- частотная дисперсия диэлектрических характеристик исследуемых композитных пленок испы- тывает существенные изменения в области частот f = 103–5⋅104 Гц и температур Т = 60–1150С. Определено, что гистерезисные явления, в основе которых лежит эффект «асимметрии» темпе- ратурной эволюции электрически активных дефектов, при нагревании и охлаждении в этих ге- терогенных макросистемах возникают при температурах Т< 1150С.
УДК 541.64:539.26:537.529